山西真空镀膜设备有哪些

【真空镀膜设备使用步骤】1电控柜的操作1)开水泵、气源2)开总电源3)开维持泵、真空计电源，真空计档位置V1位置，等待其值小于10后，再进入下一步操作。约需5分钟。4)开机械泵、予抽，开涡轮分子泵电源、启动，真空计开关换到V2位置，抽到小于2为止，约需20分钟。5)观察涡轮分子泵读数到达250以后，关予抽，开前机和高阀继续抽真空，抽真空到达一定程度后才能开右边的高真空表头，观察真空度。真空到达2×10-3以后才能开电子枪电源。2DEF-6B电子枪电源柜的操作1)打开总电源2)同时开电子枪控制Ⅰ和电子枪控制Ⅱ电源：按电子枪控制Ⅰ电源、延时开关，延时、电源及保护灯亮，三分钟后延时及保护灯灭，若后门未关好或水流继电器有故障，保护灯会常亮。3)开高压，高压会达到10KV以上，调节束流可到200mA左右，帘栅为20V/100mA，灯丝电流1.2A，偏转电流在1~1.7之间摆动。3关机顺序1)关高真空表头、关分子泵。2)待分子泵显示到50时，依次关高阀、前级、机械泵，这期间约需40分钟。3)到50以下时，再关维持泵。真空镀膜设备真空度多少？山西真空镀膜设备有哪些

【光谱分光不良的补救（补色）之机器故障和人为中断】：分光不良分为二种情况：一是全部膜系镀制完成后，经测试分光不良，此类不良主要按六节所述方法处理，一般减反膜难以补救。但对于高反膜、带通滤光膜等可以通过加层的方法补救。二是镀制中途中断（包括发现错误中断）造成的分光不良，一般都可以通过后续努力补救。后续方法正确，补救成功率比较高。中断的原因形式之机器故障和人为中断：模拟：根据已经实镀的镜片（测试比较片）实测分光数据输入计算机膜系设计程序的优化目标值，再根据已经掌握的膜系信息输入，采用倒推法逐层优化，模拟出实际镀制的膜系数据。*测试比较片是指随镜片一起镀制（在伞片上、与镜片同折射率），用于测试镀后分光曲线的平片。优化：再锁定通过模拟得到的膜系数据，通过后续层膜厚优化找到实现目标的Zui佳方案。试镀：根据新优化的后续膜层数据，试镀若干镜片或测试片，确认补色膜系的可行性。补色镀：对试镀情况确认后实施补色镀。补色镀前，确认基片是否洁净，防止产生其他不良。广东真空镀膜设备组成真空镀膜设备国内有哪些产商？

【真空镀膜真空的基本概念】： 真空的划分： 粗真空 760Torr~10E&3Torr 高真空 10E&4Torr~10E&8Torr 超高真空 10E&9~10E&12 Torr 极高真空 <10E&12Torr 流导（导通量）：表示真空管道通过气体的能力，单位为升/秒（L/S）。一般情况下，管道越短，直径越大，表面越光滑，越直的管道流导也越大。 流量：单位时间内流过任意截面的气体量，单位为Torr·L/s或Pa·L/s。 抽气速率：在一定的压强和温度下，单位时间内由泵进气口处抽走的气体称为抽气速率，简称抽速。单位一般为L/S或m3/hr或CFM。 极限真空：真空容器经充分抽气后，稳定在某一真空度，此真空度称为极限真空。

【溅射的四要素】：①靶材物质，②电磁场，③底物，④一整套完整配备的镀膜设备 【溅射收益】：1)离子每一次撞击靶材时，靶材所释放出的靶材原子；2)影响溅射收益的因素： ①等离子体中离子动能, ②入射离子的入射角度; 3)Zui大溅射收益的决定因素：①入射角度在45°&50°左右,②取决于靶材物质; 4)入射角度的影响因素 ①由电场决定,②靶材表面于入射源的相对角度。 【溅射率】： 定义：每单位时间内靶材物质所释放出的原子个数。 溅射率的影响因素：①离子动能（取决于电源电压和气体压力）②等离子密度（取决于气体压力和电流）。统计学公式：Rs(统计学)=d/t。 注：溅射原子溢出角度大部分在0~10度之间，因此在腔室内所有区域都可能被镀上一层膜，久之会产生污染。所以真空溅射腔室内必须进行定期清洁。真空镀膜设备的应用。

【光学镀膜的目的】： &反射率的提高或透射率的降低 &反射率的降低或透射率的提高 &分光作用：中性分光、变色分光、偏极光分光 &光谱带通、带止及长波通或短波通之滤光作用 &相位改变 &液晶显示功能之影显 &色光显示、色光反射、伪chao及有价证券之防止 &光波的引导、光开关及集体光路 a. 在膜层中，波的干涉结果，如R%, T%都是与膜质本身和两边界边的折射率率有关系，相位变化也是如此。 b. 由于干涉作用造成的反射率有时升高，有时反而降低，都要视磨蹭的折射率高于或低于基板折射率而定。若Nf>Ns,则反射率会提高（Ns为基底），若Nf真空镀膜设备升级改造。江西手机真空镀膜设备

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【真空镀膜溅射种类】： 1、反应溅射：氧化物，氮化物作为沉积物质 现象：①：靶材分子分裂，其于工艺气体离子发生反应，形成化合物 ②：膜层性能改变 ③：靶材有可能中毒 2、二极溅射：二极溅射是一种经典的标准溅射技术，其中等离子体和电子均只沿着电场方向运动。 特征：①：无磁场 ②：溅射率低 ③：放电电压高（＞500V） ④：镀膜底物受热温度极易升高（＞500°C） 用途：主要用于金属靶材、绝缘靶材、磁性靶材等的溅射镀。 3、磁控溅射：暗区无等离子体产生，在磁控溅射下，电子呈螺旋形运动，不会直接冲向阳极。而是在电场力和磁场力的综合作用在腔室内做螺旋运动。同时获的能量而和工艺气体以及溅射出的靶材原子进行能量交换，使气体及靶材原子离子化，dada提高气体等离子体密度，从而提高了溅射速率（可提高10—20倍）和溅射均匀性。山西真空镀膜设备有哪些